Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet IRF7907PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 9.1 А, SO8 — Даташит

International Rectifier IRF7907PBF

Наименование модели: IRF7907PBF

15 предложений от 14 поставщиков
Транзистор МОП N-канальный Dual (30В, 11A, 9.1A)
ЧипСити
Россия
IRF7907PBF
Infineon
52 ₽
Maybo
Весь мир
IRF7907PBF
Infineon
53 ₽
ChipWorker
Весь мир
IRF7907PBF
Infineon
76 ₽
Augswan
Весь мир
IRF7907PBF
Infineon
по запросу

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 9.1 А, SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97066A
IRF7907PbF
HEXFET® Power MOSFET
Applications l Dual SO-8 MOSFET for POL Converters in Notebook Computers, Servers, Graphics Cards, Game Consoles and Set-Top Box Benefits l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS l Low Gate Charge l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current l 20V VGS Max.

Gate Rating l Improved Body Diode Reverse Recovery l 100% Tested for RG l Lead-Free
VDSS

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 9.8 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
  • Power Dissipation Pd: 2 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 11 А

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • International Rectifier - IRF8707GPBF

На английском языке: Datasheet IRF7907PBF - International Rectifier MOSFET, NN CH, 30 V, 9.1 A, SO8

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка