Datasheet IRF7907PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 9.1 А, SO8 — Даташит
Наименование модели: IRF7907PBF
![]() 15 предложений от 14 поставщиков Транзистор МОП N-канальный Dual (30В, 11A, 9.1A) | |||
IRF7907PBF Infineon | 52 ₽ | ||
IRF7907PBF Infineon | 53 ₽ | ||
IRF7907PBF Infineon | 76 ₽ | ||
IRF7907PBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 9.1 А, SO8
Краткое содержание документа:
PD - 97066A
IRF7907PbF
HEXFET® Power MOSFET
Applications l Dual SO-8 MOSFET for POL Converters in Notebook Computers, Servers, Graphics Cards, Game Consoles and Set-Top Box Benefits l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS l Low Gate Charge l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current l 20V VGS Max.
Gate Rating l Improved Body Diode Reverse Recovery l 100% Tested for RG l Lead-Free
VDSS
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 9.8 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
- Power Dissipation Pd: 2 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 11 А
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- International Rectifier - IRF8707GPBF