Datasheet IRGB5B120KDPBF - International Rectifier Даташит SINGLE IGBT, 1.2KV, 12 А — Даташит

International Rectifier IRGB5B120KDPBF

Наименование модели: IRGB5B120KDPBF

Купить IRGB5B120KDPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 82 до 3 887 ₽ 13 предложений от 10 поставщиков Trans IGBT Chip N-CH 1200V 12A 89000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Стандарт СИЗ Россия	IRGB5B120KDPBF Infineon	82 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	IRGB5B120KDPBF Infineon	135 ₽
Akcel Весь мир	IRGB5B120KDPBF Infineon	от 178 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	IRGB5B120KDPBF	по запросу

Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: SINGLE IGBT, 1.2KV, 12 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 94385F
IRGB5B120KD
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
Features
· · · · · · · Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

Low Diode VF. 10µs Short Circuit Capability. Square RBSOA. Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. Positive VCE (on) Temperature Coefficient. TO-220 Package.

Данные для моделирования

Спецификации:

Тип транзистора: IGBT
DC Collector Current: 12 А
Collector Emitter Voltage, Vces: 1.2kV
Power Dissipation, Pd: 89 Вт
Collector Emitter Voltage, V(br)ceo: 1.2kV
Operating Temperature Range: -55°C to +150°C

RoHS: есть