Datasheet IRGB5B120KDPBF - International Rectifier Даташит SINGLE IGBT, 1.2KV, 12 А — Даташит
Наименование модели: IRGB5B120KDPBF
![]() 14 предложений от 13 поставщиков INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE | IGBT 1200V 12A 89W TO220AB | |||
IRGB5B120KDPBF Infineon | 324 ₽ | ||
IRGB5B120KDPBF Infineon | 46 859 ₽ | ||
IRGB5B120KDPBF Infineon | по запросу | ||
IRGB5B120KDPBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: SINGLE IGBT, 1.2KV, 12 А
Краткое содержание документа:
PD - 94385F
IRGB5B120KD
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
Features
· · · · · · · Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
Low Diode VF. 10µs Short Circuit Capability. Square RBSOA. Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. Positive VCE (on) Temperature Coefficient. TO-220 Package.
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 12 А
- Collector Emitter Voltage, Vces: 1.2kV
- Power Dissipation, Pd: 89 Вт
- Collector Emitter Voltage, V(br)ceo: 1.2kV
- Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
RoHS: есть