Datasheet IRG4PSH71UPBF - International Rectifier Даташит IGBT, TO-274A А — Даташит
Наименование модели: IRG4PSH71UPBF
![]() 14 предложений от 13 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 99A 350000mW 3Pin(3+Tab) TO-274AA | |||
IRG4PSH71UPBF Infineon | 420 ₽ | ||
IRG4PSH71UPBF Infineon | от 624 ₽ | ||
IRG4PSH71UPBF International Rectifier | 2 817 ₽ | ||
IRG4PSH71UPBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: IGBT, TO-274A А
Краткое содержание документа:
PD - 91686
IRG4PSH71UD
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
· UltraFast switching speed optimized for operating frequencies 8 to 40kHz in hard switching, 200kHz in resonant mode soft switching · Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency (minimum switching and conduction losses) than prior generations · Industry-benchmark Super-247 package with higher power handling capability compared to same footprint TO-247 · Creepage distance increased to 5.35mm
UltraFast Copack IGBT
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- Max Voltage Vce Sat: 2.7 В
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 1200 В
- Корпус транзистора: Super-247
- Количество выводов: 3
- Корпус: Super-247
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Max Current Ic Continuous a: 50 А
- Max Fall Time: 260 нс
- Количество транзисторов: 1
- Power Dissipation: 350 Вт
- Power Dissipation Pd: 350 Вт
- Pulsed Current Icm: 200 А
- Rise Time: 70 нс
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: N
- Voltage Vces: 1200 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- International Rectifier - IRG4PSH71KPBF