Datasheet IXKR40N60C - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, ISOPLUS247 — Даташит
Наименование модели: IXKR40N60C
![]() 26 предложений от 15 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 38А; 280Вт; ISOPLUS247TM; 650нс | |||
IXKR40N60C IXYS | от 976 ₽ | ||
IXKR40N60C IXYS | 2 091 ₽ | ||
IXKR40N60C IXYS | от 3 212 ₽ | ||
IXKR40N60C Littelfuse | 3 452 ₽ |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, ISOPLUS247
Краткое содержание документа:
Advanced Technical Information
CoolMOS Power MOSFET
in ISOPLUS247TM Package
N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, High VDSS MOSFET Package with Electrically Isolated Base
VDSS IXKR 40N60C 600 V
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 38 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On State Resistance: 70 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: ISOPLUS-247
- Количество выводов: 3
- Capacitance Ciss Typ: 7600 пФ
- Current Id Max: 38 А
- Напряжение изоляции: 2.5 кВ
- N-channel Gate Charge: 250nC
- Тип корпуса: ISOPLUS-247
- Power Dissipation Pd: 280 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3.9 В
- Voltage Vds Typ: 600 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Reverse Recovery Time trr Max: 650 нс
- Rth: 0.45
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A