Datasheet IXER60N120 - IXYS Даташит IGBT, ISOPLUS247 — Даташит
Наименование модели: IXER60N120
7 предложений от 7 поставщиков IXYS SEMICONDUCTOR IXER60N120 IGBT Single Transistor, 95 A, 2.1 V, 375 W, 1.2 kV, ISOPLUS-247, 3 Pins | |||
| IXER60N120 | 288 ₽ | ||
| IXER60N120_06 IXYS | по запросу | ||
| IXER60N120 IXYS | по запросу | ||
| IXER60N120 IXYS | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: IGBT, ISOPLUS247
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 95 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.1 В
- Power Dissipation Max: 375 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
- Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
- Корпус транзистора: ISOPLUS-247
- Current Ic Continuous a Max: 95 А
- Fall Time tf: 50 нс
- Junction to Case Thermal Resistance A: 0.33°C/W
- Package / Case: ISOPLUS-247
- Pin Configuration: Single
- Power Dissipation: 375 Вт
- Rise Time: 50 нс
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: NPN
- Voltage Vces: 1200 В
RoHS: есть
