Datasheet IXDR35N60BD1 - IXYS Даташит IGBT, ISOPLUS247 — Даташит

IXYS IXDR35N60BD1

Наименование модели: IXDR35N60BD1

Купить IXDR35N60BD1 на РадиоЛоцман.Цены — от 536 до 219 261 344 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 38A 125000mW 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
ЧипСити Россия	IXDR35N60BD1 IXYS	536 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	IXDR35N60BD1 IXYS	219 261 344 ₽
AllElco Electronics Весь мир	IXDR35N60BD1 IXYS	по запросу
Augswan Весь мир	IXDR35N60BD1 IXYS	по запросу

ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: IGBT, ISOPLUS247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IGBT with optional Diode
High Speed, Low Saturation Voltage
IXDR 35N60 BD1 VCES = 600 V = 38 A IC25 VCE(sat) typ = 2.2 V
C G
ISOPLUS 247TM

Спецификации:

Тип транзистора: NPT
Max Voltage Vce Sat: 2.7 В
Корпус транзистора: ISOPLUS-247
Корпус: ISOPLUS-247
Fall Time Tf: 70 нс
Junction to Case Thermal Resistance A: 1°C/ Вт
Max Current Ic Continuous a: 38 А
Pin Configuration: Copack (FRD)
Power Dissipation: 125 Вт
Rise Time: 70 нс
Termination Type: Through Hole
Полярность транзистора: NPN
Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть