Datasheet IXDR35N60BD1 - IXYS Даташит IGBT, ISOPLUS247 — Даташит
Наименование модели: IXDR35N60BD1
![]() 11 предложений от 11 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 38A 125000mW 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 | |||
IXDR35N60BD1 IXYS | 494 ₽ | ||
IXDR35N60BD1 IXYS | 552 ₽ | ||
IXDR35N60BD1 IXYS | по запросу | ||
IXDR35N60BD1 IXYS | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: IGBT, ISOPLUS247
Краткое содержание документа:
IGBT with optional Diode
High Speed, Low Saturation Voltage
IXDR 35N60 BD1 VCES = 600 V = 38 A IC25 VCE(sat) typ = 2.2 V
C G
ISOPLUS 247TM
Спецификации:
- Тип транзистора: NPT
- Max Voltage Vce Sat: 2.7 В
- Корпус транзистора: ISOPLUS-247
- Корпус: ISOPLUS-247
- Fall Time Tf: 70 нс
- Junction to Case Thermal Resistance A: 1°C/ Вт
- Max Current Ic Continuous a: 38 А
- Pin Configuration: Copack (FRD)
- Power Dissipation: 125 Вт
- Rise Time: 70 нс
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: NPN
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть