Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet Microchip DN2530N3-G — Даташит

ПроизводительMicrochip
СерияDN2530
МодельDN2530N3-G

300 В, 12 Ом, N-канал, режим истощения, вертикальный DMOS FET

Datasheets

Datasheet DN2530
PDF, 669 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 ноя 2017, Страниц: 13
N-Channel, Depletion-Mode, Vertical DMOS FET
Выписка из документа
36 предложений от 17 поставщиков
MOSFET N-CH 300V 0.175A TO92-3. N-Channel 300V 175mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92 (TO-226). Transistors - FETs, MOSFETs - Single...
AiPCBA
Весь мир
DN2530N3-G P014
Microchip
47 ₽
ЧипСити
Россия
DN2530N3-G
Microchip
55 ₽
DN2530N3-G
от 126 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
DN2530N3-G
по запросу
Эффективные решения на базе SiC: новые возможности для российской электроники

Статус

Статус продуктаВ производстве (Подходит для новых разработок, но могут существовать и более новые альтернативы)

Корпус / Упаковка / Маркировка

КорпусTO-92

Параметры

Automotive RecommendedNo
BVdsx min300 В
Lead Count3
Package Width-
RDS12 Ω
Vgs(off) max-3.5 В
Vgs(off) min-1.0 В

Модельный ряд

Серия: DN2530 (2)

Классификация производителя

  • High-Voltage Interface > MOSFETs - Interface > Depletion-Mode N-Channel

Варианты написания:

DN2530N3G, DN2530N3 G

На английском языке: Datasheet Microchip DN2530N3-G

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка