Datasheet Microchip DN2535N3-G-P003 — Даташит
| Производитель | Microchip |
| Серия | DN2535 |
| Модель | DN2535N3-G-P003 |
350 В, 25 Ом, N-канал, режим истощения, вертикальный DMOS FET
Datasheets
Datasheet DN2535
PDF, 772 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 ноя 2017, Страниц: 6
N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs Features
N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs Features
Выписка из документа
 Купить DN2535N3-G-P003 на РадиоЛоцман.Цены — от 18 до 148 ₽18 предложений от 10 поставщиков Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 120mA; Idm: 0.5A; 1W; TO92 | |||
| DN2535N3-G-P003 Microchip | 80 ₽ | ||
| DN2535N3-G-P003 Microchip | 148 ₽ | ||
| DN2535N3-G-P003 LAPIS Semiconductor | по запросу | ||
| DN2535N3-G-P003 Microchip | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Подходит для новых разработок, но могут существовать и более новые альтернативы) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Корпус | TO-92 |
Параметры
| Automotive Recommended | No |
| BVdsx min | 350 В |
| Lead Count | 3 |
| Package Width | - |
| RDS | 25 Ω |
| Vgs(off) max | -3.5 В |
| Vgs(off) min | -1.5 В |
Модельный ряд
Серия: DN2535 (4)
- DN2535N3-G DN2535N3-G-P003 DN2535N3-G-P013 DN2535N5-G
Классификация производителя
- High-Voltage Interface > MOSFETs - Interface > Depletion-Mode N-Channel
Варианты написания:
DN2535N3GP003, DN2535N3 G P003
