Datasheet Microchip DN3535N8-G — Даташит
Производитель | Microchip |
Серия | DN3535 |
Модель | DN3535N8-G |
350 В, 10 Ом, N-канал, режим истощения, вертикальный DMOS FET
Datasheets
Datasheet DN3535
PDF, 395 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 ноя 2017, Страниц: 5
N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs Features
N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs Features
Выписка из документа
Цены
![]() 30 предложений от 17 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,2А; 1,6Вт; SOT89-3 | |||
DN3535N8-G Supertex | 70 ₽ | ||
DN3535N8-G Microchip | 77 ₽ | ||
DN3535N8-G Microchip | 127 ₽ | ||
DN3535N8-G Microchip | от 130 ₽ |
Статус
Статус продукта | В производстве (Подходит для новых разработок, но могут существовать и более новые альтернативы) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
Корпус | SOT-89 |
Параметры
Automotive Recommended | No |
BVdsx min | 350 В |
Lead Count | 3 |
Package Width | - |
RDS | 10 Ω |
Vgs(off) max | -3.5 В |
Vgs(off) min | -1.5 В |
Модельный ряд
Серия: DN3535 (1)
- DN3535N8-G
Классификация производителя
- High-Voltage Interface > MOSFETs - Interface > Depletion-Mode N-Channel
Варианты написания:
DN3535N8G, DN3535N8 G