Datasheet Microchip LND01K1-G — Даташит
| Производитель | Microchip |
| Серия | LND01 |
| Модель | LND01K1-G |
МОП-транзистор, режим бокового истощения N-канала
Datasheets
Datasheet LND01
PDF, 552 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 ноя 2017, Страниц: 12
Lateral N-Channel Depletion-Mode MOSFET
Lateral N-Channel Depletion-Mode MOSFET
Выписка из документа
Цены
 Купить LND01K1-G на РадиоЛоцман.Цены — от 30 до 112 ₽26 предложений от 13 поставщиков Transistor: N-MOSFET; unipolar; 9V; 330mA; Idm: 0.6A; 0.36W; SOT23-5 | |||
| LND01K1-G Microchip | 30 ₽ | ||
| LND01K1-G Microchip | 35 ₽ | ||
| LND01K1-G Microchip | от 96 ₽ | ||
| LND01K1-G Microchip | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Подходит для новых разработок, но могут существовать и более новые альтернативы) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Корпус | SOT-23 |
Параметры
| Automotive Recommended | No |
| BVdsx min | 9 В |
| Lead Count | 5 |
| Package Width | - |
| RDS | 1.4 Ω |
| Vgs(off) max | -3.0 В |
| Vgs(off) min | -0.8 В |
Модельный ряд
Серия: LND01 (1)
- LND01K1-G
Классификация производителя
- High-Voltage Interface > MOSFETs - Interface > Depletion-Mode N-Channel
Варианты написания:
LND01K1G, LND01K1 G
