Datasheet Microchip LND150K1-G — Даташит
| Производитель | Microchip |
| Серия | LND150 |
| Модель | LND150K1-G |
N-канальный режим истощения DMOS FET
Datasheets
Datasheet LND150
PDF, 610 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 ноя 2017, Страниц: 7
N-Channel Depletion-Mode DMOS FET Features
N-Channel Depletion-Mode DMOS FET Features
Выписка из документа
Цены
 Купить LND150K1-G на РадиоЛоцман.Цены — от 9.05 до 120 ₽27 предложений от 15 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 0,013А; 360мВт; SOT23-3 | |||
| LND150K1-G Microchip | от 9.05 ₽ | ||
| LND150K1-G Microchip | 28 ₽ | ||
| LND150K1-G | от 120 ₽ | ||
| LND150K1-G LAPIS Semiconductor | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Подходит для новых разработок, но могут существовать и более новые альтернативы) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Корпус | SOT-23 |
Параметры
| Automotive Recommended | No |
| BVdsx min | 500 В |
| Lead Count | 3 |
| Package Width | 1.3mm |
| RDS | 1000 Ω |
| Vgs(off) max | -3.0 В |
| Vgs(off) min | -1.0 В |
Модельный ряд
Серия: LND150 (7)
Классификация производителя
- High-Voltage Interface > MOSFETs - Interface > Depletion-Mode N-Channel
Варианты написания:
LND150K1G, LND150K1 G
