Datasheet Microchip LND150N3-G — Даташит
| Производитель | Microchip |
| Серия | LND150 |
| Модель | LND150N3-G |
N-канальный режим истощения DMOS FET
Datasheets
Datasheet LND150
PDF, 610 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 ноя 2017, Страниц: 7
N-Channel Depletion-Mode DMOS FET Features
N-Channel Depletion-Mode DMOS FET Features
Выписка из документа
 Купить LND150N3-G на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 149 ₽34 предложений от 17 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 30 мА, 850 Ом, TO-92, Through Hole | |||
| LND150N3-G Microchip | от 82 ₽ | ||
| LND150N3-G Microchip | от 129 ₽ | ||
| LND150N3-G | по запросу | ||
| LND150N3-G-P002 LAPIS Semiconductor | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Подходит для новых разработок, но могут существовать и более новые альтернативы) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Корпус | TO-92 |
Параметры
| Automotive Recommended | No |
| BVdsx min | 500 В |
| Lead Count | 3 |
| Package Width | - |
| RDS | 1000 Ω |
| Vgs(off) max | -3.0 В |
| Vgs(off) min | -1.0 В |
Модельный ряд
Серия: LND150 (7)
Классификация производителя
- High-Voltage Interface > MOSFETs - Interface > Depletion-Mode N-Channel
Варианты написания:
LND150N3G, LND150N3 G
