Datasheet Microchip LND150N3-G-P002 — Даташит
| Производитель | Microchip |
| Серия | LND150 |
| Модель | LND150N3-G-P002 |
N-канальный режим истощения DMOS FET
Datasheets
Datasheet LND150
PDF, 610 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 ноя 2017, Страниц: 7
N-Channel Depletion-Mode DMOS FET Features
N-Channel Depletion-Mode DMOS FET Features
Выписка из документа
 Купить LND150N3-G-P002 на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 104 ₽19 предложений от 10 поставщиков Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92 | |||
| LND150N3-G-P002 Microchip | от 12 ₽ | ||
| LND150N3-G-P002 Microchip | 54 ₽ | ||
| LND150N3-G-P002 Microchip | от 91 ₽ | ||
| LND150N3-G-P002 Microchip | от 99 ₽ | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Подходит для новых разработок, но могут существовать и более новые альтернативы) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Корпус | TO-92 |
Параметры
| Automotive Recommended | No |
| BVdsx min | 500 В |
| Lead Count | 3 |
| Package Width | - |
| RDS | 1000 Ω |
| Vgs(off) max | -3.0 В |
| Vgs(off) min | -1.0 В |
Модельный ряд
Серия: LND150 (7)
- LND150K1-G LND150N3-G LND150N3-G-P002 LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P013 LND150N3-G-P014 LND150N8-G
Классификация производителя
- High-Voltage Interface > MOSFETs - Interface > Depletion-Mode N-Channel
Варианты написания:
LND150N3GP002, LND150N3 G P002
