OKW: приборные корпуса из Германии

Datasheet Microchip LND150N3-G-P003 — Даташит

ПроизводительMicrochip
СерияLND150
МодельLND150N3-G-P003

N-канальный режим истощения DMOS FET

Datasheets

Datasheet LND150
PDF, 610 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 ноя 2017, Страниц: 7
N-Channel Depletion-Mode DMOS FET Features
Выписка из документа

Цены

17 предложений от 11 поставщиков
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
T-electron
Россия и страны СНГ
LND150N3-G-P003
Microchip
39 ₽
ЧипСити
Россия
LND150N3-G-P003
Microchip
91 ₽
AiPCBA
Весь мир
LND150N3-G-P003
Microchip
96 ₽
Acme Chip
Весь мир
LND150N3-G-P003
Microchip
по запросу
Продукция HONGFA – надежность и качество для разных задач

Статус

Статус продуктаВ производстве (Подходит для новых разработок, но могут существовать и более новые альтернативы)

Корпус / Упаковка / Маркировка

КорпусTO-92

Параметры

Automotive RecommendedNo
BVdsx min500 В
Lead Count3
Package Width-
RDS1000 Ω
Vgs(off) max-3.0 В
Vgs(off) min-1.0 В

Модельный ряд

Классификация производителя

  • High-Voltage Interface > MOSFETs - Interface > Depletion-Mode N-Channel

Варианты написания:

LND150N3GP003, LND150N3 G P003

На английском языке: Datasheet Microchip LND150N3-G-P003

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России