Datasheet Microchip LND250K1-G — Даташит
| Производитель | Microchip |
| Серия | LND250 |
| Модель | LND250K1-G |
N-канальный режим истощения DMOS FET
Datasheets
Datasheet LND150, LND250
PDF, 1.3 Мб, Язык: анг., Файл закачен: 13 май 2020, Страниц: 16
N-Channel Depletion-Mode DMOS FETs
N-Channel Depletion-Mode DMOS FETs
Выписка из документа
Datasheet LND250
PDF, 440 Кб, Версия: 06-27-2014, Файл закачен: 15 ноя 2017, Страниц: 3
N-Channel Depletion-Mode DMOS FET
N-Channel Depletion-Mode DMOS FET
Выписка из документа
 Купить LND250K1-G на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 86 ₽26 предложений от 16 поставщиков MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3. N-Channel 500V 13mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23 (TO-236AB). Transistors - FETs, MOSFETs - Single... | |||
| LND250K1-G Microchip | от 11 ₽ | ||
| LND250K1-G Microchip | 25 ₽ | ||
| LND250K1-G Microchip | 81 ₽ | ||
| LND250K1-G Microchip | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Подходит для новых разработок, но могут существовать и более новые альтернативы) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Корпус | SOT-23 |
Параметры
| Automotive Recommended | No |
| BVdsx min | 500 В |
| Lead Count | 3 |
| Package Width | 1.3mm |
| RDS | 1000 Ω |
| Vgs(off) max | -3.0 В |
| Vgs(off) min | -1.0 В |
Модельный ряд
Серия: LND250 (1)
- LND250K1-G
Классификация производителя
- High-Voltage Interface > MOSFETs - Interface > Depletion-Mode N-Channel
Варианты написания:
LND250K1G, LND250K1 G
