Datasheet Microchip LND250K1-G — Даташит
| Производитель | Microchip |
| Серия | LND250 |
| Модель | LND250K1-G |
N-канальный режим истощения DMOS FET
Datasheets
Datasheet LND150, LND250
PDF, 1.3 Мб, Язык: анг., Файл закачен: 13 май 2020, Страниц: 16
N-Channel Depletion-Mode DMOS FETs
N-Channel Depletion-Mode DMOS FETs
Выписка из документа
Datasheet LND250
PDF, 440 Кб, Версия: 06-27-2014, Файл закачен: 15 ноя 2017, Страниц: 3
N-Channel Depletion-Mode DMOS FET
N-Channel Depletion-Mode DMOS FET
Выписка из документа
Цены
 Купить LND250K1-G на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 101 ₽27 предложений от 16 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13мА; Idm: 30А; 0,36Вт; SOT23-3 | |||
| LND250K1-G Supertex | 21 ₽ | ||
| LND250K1-G Microchip | 43 ₽ | ||
| LND250K1-G Microchip | 81 ₽ | ||
| LND250K1-G | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Подходит для новых разработок, но могут существовать и более новые альтернативы) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Корпус | SOT-23 |
Параметры
| Automotive Recommended | No |
| BVdsx min | 500 В |
| Lead Count | 3 |
| Package Width | 1.3mm |
| RDS | 1000 Ω |
| Vgs(off) max | -3.0 В |
| Vgs(off) min | -1.0 В |
Модельный ряд
Серия: LND250 (1)
- LND250K1-G
Классификация производителя
- High-Voltage Interface > MOSFETs - Interface > Depletion-Mode N-Channel
Варианты написания:
LND250K1G, LND250K1 G
