LinTai: качественные китайские корпуса и каркасы

Datasheet Microchip 2N6661 — Даташит

ПроизводительMicrochip
Серия2N6661
Модель2N6661

2N6661 is an enhancement-mode (normally-off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process

Datasheets

2N6661 Datasheet - N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
PDF, 464 Кб, Версия: 03-29-2016
Выписка из документа

Цены

35 предложений от 21 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, вертикальный DMOS FET, N Канал, 90 В, 1.5 А, 4 Ом, TO-39, Through Hole
AliExpress
Весь мир
2N1893 2N2102 2N4037 2N5415 2N1613 2N5416 2N3725 2N4037 2N1808 2N3019 2N6661 2N5323 2N3501 2N6849 2N5666 TO-39
86 ₽
Utmel
Весь мир
2N6661
от 385 ₽
ChipWorker
Весь мир
2N6661
Microchip
580 ₽
ЭИК
Россия
2N6661
Vishay
от 3 467 ₽
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Статус

Статус продуктаВ производстве (Подходит для новых разработок, но могут существовать и более новые альтернативы)

Корпус / Упаковка / Маркировка

КорпусTO-39
Количество выводов3

Параметры

BVdss min90 В
CISSmax50 пФ
Рабочий диапазон температурот -55 до +150 °C
Rds4.0 on) max
Vgs(th) max2.0 В

Экологический статус

RoHSСовместим

Модельный ряд

Серия: 2N6661 (2)

На английском языке: Datasheet Microchip 2N6661

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Публикации по теме