Datasheet Microchip 2N7000-G — Даташит
| Производитель | Microchip |
| Серия | 2N7000 |
| Модель | 2N7000-G |
2N7000 — это транзистор расширенного режима (нормально выключенный), в котором используется вертикальная структура DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс производства с кремниевым затвором.
Datasheets
Datasheet 2N7000
PDF, 645 Кб, Версия: 09-10-2008, Файл закачен: 15 ноя 2017, Страниц: 5
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
Выписка из документа
Цены
 Купить 2N7000-G на РадиоЛоцман.Цены — от 5.60 до 93 ₽41 предложений от 22 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 200 мА, 5 Ом, TO-92, Through Hole | |||
| 2N7000 (2N7000G,VN2222) | от 5.60 ₽ | ||
| 2N7000-G P002 Microchip | 17 ₽ | ||
| 2N7000-G Microchip | от 27 ₽ | ||
| 2N7000-G Supertex | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Подходит для новых разработок, но могут существовать и более новые альтернативы) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Корпус | TO-92 |
| Количество выводов | 3 |
Параметры
| BVdss min | 60 В |
| CISSmax | 60 пФ |
| Рабочий диапазон температур | от -55 до +150 °C |
| Rds | 5.0 on) max |
| Vgs(th) max | 3.0 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
Модельный ряд
Серия: 2N7000 (1)
- 2N7000-G
Варианты написания:
2N7000G, 2N7000 G
