Datasheet Microchip TN0110N3-G-P002 — Даташит
| Производитель | Microchip |
| Серия | TN0110 |
| Модель | TN0110N3-G-P002 |
Этот низкопороговый транзистор расширенного режима (нормально выключенный) использует вертикальную структуру DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс производства с кремниевым затвором.
Datasheets
TN0110 Datasheet - N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
PDF, 622 Кб, Версия: 06-27-2014
Выписка из документа
 Купить TN0110N3-G-P002 на РадиоЛоцман.Цены — от 25 до 203 ₽29 предложений от 15 поставщиков MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3. N-Channel 100V 350mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3. Transistors - FETs, MOSFETs - Single | |||
| TN0110N3-G-P002 | 66 ₽ | ||
| TN0110N3-G-P002 Microchip | 72 ₽ | ||
| TN0110N3-G-P002 Microchip | от 200 ₽ | ||
| TN0110N3-G-P002 Microchip | от 202 ₽ | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Подходит для новых разработок, но могут существовать и более новые альтернативы) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Корпус | TO-92 |
| Количество выводов | 3 |
Параметры
| BVdss min | 100 В |
| CISSmax | 60 пФ |
| Рабочий диапазон температур | от -55 до +150 °C |
| Rds | 3.0 on) max |
| Vgs(th) max | 2.0 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
Модельный ряд
Серия: TN0110 (2)
- TN0110N3-G TN0110N3-G-P002
Варианты написания:
TN0110N3GP002, TN0110N3 G P002
