Datasheet Microchip TN0110 — Даташит
| Производитель | Microchip |
| Серия | TN0110 |
Этот низкопороговый транзистор расширенного режима (нормально выключенный) использует вертикальную структуру DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс производства с кремниевым затвором.
Datasheets
TN0110 Datasheet - N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
PDF, 622 Кб, Версия: 06-27-2014
Выписка из документа
Цены
10 предложений от 9 поставщиков N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs | |||
| TN0110N3 Supertex | от 322 ₽ | ||
| TN0110N3 Supertex | по запросу | ||
| TN0110N3 | по запросу | ||
| TN0110 Supertex | по запросу | ||
Купить TN0110 на РадиоЛоцман.ЦеныСтатус
| TN0110N3-G | TN0110N3-G-P002 | |
|---|---|---|
| Статус продукта | В производстве (Подходит для новых разработок, но могут существовать и более новые альтернативы) | В производстве (Подходит для новых разработок, но могут существовать и более новые альтернативы) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| TN0110N3-G | TN0110N3-G-P002 | |
|---|---|---|
| N | 1 | 2 |
| Корпус | TO-92 | TO-92 |
| Количество выводов | 3 | 3 |
Параметры
| Parameters / Models | TN0110N3-G | TN0110N3-G-P002 |
|---|---|---|
| BVdss min, В | 100 | 100 |
| CISSmax, пФ | 60 | 60 |
| Рабочий диапазон температур, °C | от -55 до +150 | от -55 до +150 |
| Rds, on) max | 3.0 | 3.0 |
| Vgs(th) max, В | 2.0 | 2.0 |
Экологический статус
| TN0110N3-G | TN0110N3-G-P002 | |
|---|---|---|
| RoHS | Совместим | Совместим |
Модельный ряд
Серия: TN0110 (2)
