Datasheet Microchip TN5325N3-G-P002 — Даташит
| Производитель | Microchip |
| Серия | TN5325 |
| Модель | TN5325N3-G-P002 |
Этот низкопороговый транзистор расширенного режима (нормально выключенный) использует вертикальную структуру DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс производства с кремниевым затвором.
Datasheets
TN5325 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Data Sheet
PDF, 865 Кб, Версия: 04-05-2017
Выписка из документа
 Купить TN5325N3-G-P002 на РадиоЛоцман.Цены — от 15 до 115 ₽16 предложений от 10 поставщиков Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 215mA; Idm: 0.8A; 0.74W; TO92 | |||
| TN5325N3-G-P002 Microchip | 44 ₽ | ||
| TN5325N3-G-P002 Microchip | 49 ₽ | ||
| TN5325N3-G-P002 Microchip | 69 ₽ | ||
| TN5325N3-G-P002 Microchip | от 115 ₽ | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Подходит для новых разработок, но могут существовать и более новые альтернативы) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Корпус | TO-92 |
| Количество выводов | 3 |
Параметры
| BVdss min | 250 В |
| CISSmax | 110 пФ |
| Рабочий диапазон температур | от -55 до +150 °C |
| Rds | 7.0 on) max |
| Vgs(th) max | 2.0 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
Модельный ряд
Серия: TN5325 (4)
- TN5325K1-G TN5325N3-G TN5325N3-G-P002 TN5325N8-G
Варианты написания:
TN5325N3GP002, TN5325N3 G P002
