Datasheet Microchip TN5325N8-G — Даташит
| Производитель | Microchip |
| Серия | TN5325 |
| Модель | TN5325N8-G |
Этот низкопороговый транзистор расширенного режима (нормально выключенный) использует вертикальную структуру DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс производства с кремниевым затвором.
Datasheets
TN5325 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Data Sheet
PDF, 865 Кб, Версия: 04-05-2017
Выписка из документа
 Купить TN5325N8-G на РадиоЛоцман.Цены — от 14 до 411 ₽27 предложений от 14 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 1,2А; 1,6Вт; SOT89-3 | |||
| TN5325N8-G Microchip | от 98 ₽ | ||
| TN5325N8-G Microchip | 411 ₽ | ||
| TN5325N8-G Supertex | по запросу | ||
| TN5325N8-G Microchip | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Подходит для новых разработок, но могут существовать и более новые альтернативы) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Корпус | SOT-89 |
| Количество выводов | 3 |
Параметры
| BVdss min | 250 В |
| CISSmax | 110 пФ |
| Рабочий диапазон температур | от -55 до +150 °C |
| Rds | 7.0 on) max |
| Vgs(th) max | 2.0 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
Модельный ряд
Серия: TN5325 (4)
- TN5325K1-G TN5325N3-G TN5325N3-G-P002 TN5325N8-G
Варианты написания:
TN5325N8G, TN5325N8 G
