Datasheet Microchip TN5325 — Даташит
| Производитель | Microchip |
| Серия | TN5325 |
Этот низкопороговый транзистор расширенного режима (нормально выключенный) использует вертикальную структуру DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс производства с кремниевым затвором.
Datasheets
TN5325 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Data Sheet
PDF, 865 Кб, Версия: 04-05-2017
Выписка из документа
9 предложений от 9 поставщиков N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs | |||
| TN5325K1 | 138 ₽ | ||
| TN5325 Supertex | по запросу | ||
| TN5325N3 Supertex | по запросу | ||
| TN5325K1 | по запросу | ||
Статус
| TN5325K1-G | TN5325N3-G | TN5325N3-G-P002 | TN5325N8-G | |
|---|---|---|---|---|
| Статус продукта | В производстве (Подходит для новых разработок, но могут существовать и более новые альтернативы) | В производстве (Подходит для новых разработок, но могут существовать и более новые альтернативы) | В производстве (Подходит для новых разработок, но могут существовать и более новые альтернативы) | В производстве (Подходит для новых разработок, но могут существовать и более новые альтернативы) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| TN5325K1-G | TN5325N3-G | TN5325N3-G-P002 | TN5325N8-G | |
|---|---|---|---|---|
| N | 1 | 2 | 3 | 4 |
| Корпус | SOT-23 | TO-92 | TO-92 | SOT-89 |
| Количество выводов | 3 | 3 | 3 | 3 |
Параметры
| Parameters / Models | TN5325K1-G | TN5325N3-G | TN5325N3-G-P002 | TN5325N8-G |
|---|---|---|---|---|
| BVdss min, В | 250 | 250 | 250 | 250 |
| CISSmax, пФ | 110 | 110 | 110 | 110 |
| Рабочий диапазон температур, °C | от -55 до +150 | от -55 до +150 | от -55 до +150 | от -55 до +150 |
| Rds, on) max | 7.0 | 7.0 | 7.0 | 7.0 |
| Vgs(th) max, В | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 |
Экологический статус
| TN5325K1-G | TN5325N3-G | TN5325N3-G-P002 | TN5325N8-G | |
|---|---|---|---|---|
| RoHS | Совместим | Совместим | Совместим | Совместим |
Модельный ряд
Серия: TN5325 (4)
