Datasheet Microchip TN5335 — Даташит
| Производитель | Microchip |
| Серия | TN5335 |
Этот низкопороговый транзистор расширенного режима (нормально выключенный) использует вертикальную структуру DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс производства с кремниевым затвором.
Datasheets
TN5335 Datasheet - N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
PDF, 669 Кб, Версия: 06-27-2014
Выписка из документа
Цены
5 предложений от 5 поставщиков N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs | |||
| TN5335K1 | по запросу | ||
| TN5335N8 Supertex | по запросу | ||
| TN5335K1 Supertex | по запросу | ||
| TN5335 Supertex | по запросу | ||
Статус
| TN5335K1-G | TN5335N8-G | |
|---|---|---|
| Статус продукта | В производстве (Подходит для новых разработок, но могут существовать и более новые альтернативы) | В производстве (Подходит для новых разработок, но могут существовать и более новые альтернативы) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| TN5335K1-G | TN5335N8-G | |
|---|---|---|
| N | 1 | 2 |
| Корпус | SOT-23 | SOT-89 |
| Количество выводов | 3 | 3 |
Параметры
| Parameters / Models | TN5335K1-G | TN5335N8-G |
|---|---|---|
| BVdss min, В | 350 | 350 |
| CISSmax, пФ | 110 | 110 |
| Рабочий диапазон температур, °C | от -55 до +150 | от -55 до +150 |
| Rds, on) max | 15 | 15 |
| Vgs(th) max, В | 2.0 | 2.0 |
Экологический статус
| TN5335K1-G | TN5335N8-G | |
|---|---|---|
| RoHS | Совместим | Совместим |
Модельный ряд
Серия: TN5335 (2)
