Datasheet Microchip TP2522N8-G — Даташит
Производитель | Microchip |
Серия | TP2522 |
Модель | TP2522N8-G |
This low threshold enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process
Datasheets
TP2522 Datasheet - P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
PDF, 635 Кб, Версия: 06-27-2014
Выписка из документа
Цены
Купить TP2522N8-G на РадиоЛоцман.Цены — от 64 до 403 ₽ 18 предложений от 9 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; полевой; -220В; -0,75А; 1,6Вт; SOT89-3 | |||
TP2522N8-G Microchip | 64 ₽ | ||
TP2522N8-G Microchip | от 71 ₽ | ||
TP2522N8-G Microchip | от 71 ₽ | ||
TP2522N8-G Microchip | 403 ₽ |
Статус
Статус продукта | В производстве (Подходит для новых разработок, но могут существовать и более новые альтернативы) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
Корпус | SOT-89 |
Количество выводов | 3 |
Параметры
BVdss min | -220 В |
CISSmax | 125 пФ |
Рабочий диапазон температур | от -55 до +150 °C |
Rds | 12 on) max |
Vgs(th) max | -2.4 В |
Экологический статус
RoHS | Совместим |
Модельный ряд
Серия: TP2522 (1)
- TP2522N8-G
Варианты написания:
TP2522N8G, TP2522N8 G