Datasheet Microchip VP2106N3-G — Даташит
Производитель | Microchip |
Серия | VP2106 |
Модель | VP2106N3-G |
This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process
Datasheets
VP2106 Datasheet - P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
PDF, 641 Кб, Версия: 06-27-2014
Выписка из документа
Цены
Купить VP2106N3-G на РадиоЛоцман.Цены — от 23 до 152 ₽ 28 предложений от 13 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 60 В, 250 мА, 9 Ом, TO-92, Through Hole | |||
VP2106N3-G Microchip | 23 ₽ | ||
VP2106N3-G Microchip | от 25 ₽ | ||
VP2106N3-G P013 Microchip | 61 ₽ | ||
VP2106N3-G | от 152 ₽ |
Статус
Статус продукта | В производстве (Подходит для новых разработок, но могут существовать и более новые альтернативы) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
Корпус | TO-92 |
Количество выводов | 3 |
Параметры
BVdss min | -60 В |
CISSmax | 60 пФ |
Рабочий диапазон температур | от -55 до +150 °C |
Rds | 12 on) max |
Vgs(th) max | -3.5 В |
Экологический статус
RoHS | Совместим |
Модельный ряд
Серия: VP2106 (1)
- VP2106N3-G
Варианты написания:
VP2106N3G, VP2106N3 G