Datasheet Microchip VP2206N3-G — Даташит
Производитель | Microchip |
Серия | VP2206 |
Модель | VP2206N3-G |
VP2206 is an enhancement-mode (normally-off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process
Datasheets
VP2206 Datasheet - P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
PDF, 709 Кб, Версия: 06-27-2014
Выписка из документа
Цены
Купить VP2206N3-G на РадиоЛоцман.Цены — от 86 до 638 ₽ 27 предложений от 13 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 60 В, 640 мА, 0.75 Ом, TO-92, Through Hole | |||
VP2206N3-G P013 Microchip | 86 ₽ | ||
VP2206N3-G P013 Microchip | 87 ₽ | ||
VP2206N3-G Microchip | 95 ₽ | ||
VP2206N3-G | по запросу |
Статус
Статус продукта | В производстве (Подходит для новых разработок, но могут существовать и более новые альтернативы) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
Корпус | TO-92 |
Количество выводов | 3 |
Параметры
BVdss min | -60 В |
CISSmax | 450 пФ |
Рабочий диапазон температур | от -55 до +150 °C |
Rds | 0.9 on) max |
Vgs(th) max | -3.5 В |
Экологический статус
RoHS | Совместим |
Модельный ряд
Серия: VP2206 (3)
- VP2206N2 VP2206N3-G VP2206N3-G-P003
Варианты написания:
VP2206N3G, VP2206N3 G