Datasheet Intersil HFA3127 — Даташит
Производитель | Intersil |
Серия | HFA3127 |

Сверхвысокочастотные транзисторные матрицы
Datasheets
HFA3046, HFA3096, HFA3127, HFA3128 Datasheet
PDF, 429 Кб, Версия: 2017-12-14
Выписка из документа
Цены
![]() 33 предложений от 23 поставщиков Массив биполярных транзисторов, NPN, 8 В, 37 мА, 150 мВт, 130 hFE, SOIC | |||
HFA3127B Renesas | 50 ₽ | ||
HFA3127B | 130 ₽ | ||
HFA3127R Intersil | 548 ₽ | ||
HFA3127B Harris | по запросу |
Корпус / Упаковка / Маркировка
HFA3127B | HFA3127B96 | HFA3127BZ | HFA3127BZ96 | HFA3127R | HFA3127R96 | HFA3127RZ | HFA3127RZ96 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
N | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
![]() | ![]() | ![]() | ![]() | ![]() | ![]() | ![]() | ![]() | |
Корпус | 16 Ld SOIC Габаритный чертеж корпуса | 16 Ld SOIC T+R Габаритный чертеж корпуса | 16 Ld SOIC Габаритный чертеж корпуса | 16 Ld SOIC T+R Габаритный чертеж корпуса | 16 Ld QFN Габаритный чертеж корпуса | 16 Ld QFN T+R Габаритный чертеж корпуса | 16 Ld QFN Габаритный чертеж корпуса | 16 Ld QFN T+R Габаритный чертеж корпуса |
Индекс корпуса | M16.15 | M16.15 | M16.15 | M16.15 | L16.3X3 | L16.3X3 | L16.3X3 | L16.3X3 |
Пиковая температура пайки | 240°C | 240°C | 260°C | 260°C | 240°C | 240°C | 260°C | 260°C |
Количество выводов | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 |
Семейство | SOICN | SOICN | SOICN | SOICN | QFN | QFN | QFN | QFN |
Параметры
Parameters / Models | HFA3127B![]() | HFA3127B96![]() | HFA3127BZ![]() | HFA3127BZ96![]() | HFA3127R![]() | HFA3127R96![]() | HFA3127RZ![]() | HFA3127RZ96![]() |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CCB | 0.5 pF | 0.5 pF | 0.5 pF | 0.5 pF | 0.5 pF | 0.5 pF | 0.5 pF | 0.5 pF |
CEB | 0.5 pF | 0.5 pF | 0.5 pF | 0.5 pF | 0.5 pF | 0.5 pF | 0.5 pF | 0.5 pF |
Количество каналов | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 |
Description | Ultra High Frequency Transistor Arrays | Ultra High Frequency Transistor Arrays | Ultra High Frequency Transistor Arrays | Ultra High Frequency Transistor Arrays | Ultra High Frequency Transistor Arrays | Ultra High Frequency Transistor Arrays | Ultra High Frequency Transistor Arrays | Ultra High Frequency Transistor Arrays |
FT | 8 GHz | 8 GHz | 8 GHz | 8 GHz | 8 GHz | 8 GHz | 8 GHz | 8 GHz |
HFE | 70 | 70 | 70 | 70 | 70 | 70 | 70 | 70 |
ICBO | 0.1 nA | 0.1 nA | 0.1 nA | 0.1 nA | 0.1 nA | 0.1 nA | 0.1 nA | 0.1 nA |
ICEO | 2 nA | 2 nA | 2 nA | 2 nA | 2 nA | 2 nA | 2 nA | 2 nA |
IOS | N/A µA | N/A µA | N/A µA | N/A µA | N/A µA | N/A µA | N/A µA | N/A µA |
NF | 3.5 dB | 3.5 dB | 3.5 dB | 3.5 dB | 3.5 dB | 3.5 dB | 3.5 dB | 3.5 dB |
NPN or PNP | NPN | NPN | NPN | NPN | NPN | NPN | NPN | NPN |
Количество каналов | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 |
Рабочий диапазон температур | от -55 до 125 | от -55 до 125 | от -55 до 125 | от -55 до 125 | от -55 до 125 | от -55 до 125 | от -55 до 125 | от -55 до 125 |
Qualification Level | Standard | Standard | Standard | Standard | Standard | Standard | Standard | Standard |
V(BR) CBO (V) | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 |
V(BR) CEO (V) | 12 | 12 | 12 | 12 | 12 | 12 | 12 | 12 |
V(BR) EBO (V) | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 |
VOS (max) | 5 mV | 5 mV | 5 mV | 5 mV | 5 mV | 5 mV | 5 mV | 5 mV |
Экологический статус
HFA3127B | HFA3127B96 | HFA3127BZ | HFA3127BZ96 | HFA3127R | HFA3127R96 | HFA3127RZ | HFA3127RZ96 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RoHS | Совместим | Совместим | Совместим | Совместим |
Другие варианты исполнения
Модельный ряд
Серия: HFA3127 (8)
Классификация производителя
- Space & Harsh Environment > Harsh Environment > Transistor Arrays