Datasheet LF398N/NOPB - National Semiconductor Даташит ИС, выборки-хранения усилитель, 1 МГц, 20 uS, DIP-8 — Даташит

Купить LF398N/NOPB на РадиоЛоцман.Цены — от 23 до 532 ₽ 49 предложений от 22 поставщиков Микросхема Буферный усилитель, TEXAS INSTRUMENTS LF398N/NOPB Sample and Hold Amplifier, 1 Amplifier, 1MHz, 20µs, 2mV, DIP, 8Pins
T-electron Россия и страны СНГ	LF398N/NOPB Texas Instruments	64 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	LF398N/NOPB Texas Instruments	81 ₽	Купить
ЧипСити Россия	LF398N/NOPB Texas Instruments	131 ₽	Купить
Океан Электроники Россия	LF398N/NOPB* Texas Instruments	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: National Semiconductor

Описание: ИС, выборки-хранения усилитель, 1 МГц, 20 uS, DIP-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
LF198/LF298/LF398, LF198A/LF398A Monolithic Sample-and-Hold Circuits
July 2000
LF198/LF298/LF398, LF198A/LF398A Monolithic Sample-and-Hold Circuits
General Description
The LF198/LF298/LF398 are monolithic sample-and-hold circuits which utilize BI-FET technology to obtain ultra-high dc accuracy with fast acquisition of signal and low droop rate.

Operating as a unity gain follower, dc gain accuracy is 0.002% typical and acquisition time is as low as 6 µs to 0.01%. A bipolar input stage is used to achieve low offset voltage and wide bandwidth. Input offset adjust is accomplished with a single pin, and does not degrade input offset drift. The wide bandwidth allows the LF198 to be included inside the feedback loop of 1 MHz op amps without having stability problems. Input impedance of 1010 allows high source impedances to be used without degrading accuracy. P-channel junction FET's are combined with bipolar devices in the output amplifier to give droop rates as low as 5 mV/min with a 1 µF

Спецификации:

• Время выборки: 20 мкс
• Диапазон напряжения питания: ± 5 В ... ± 18 В
• Количество выводов: 8
• Количество усилителей: 1
• Напряжение смещения входа: 2 мВ
• Полоса частот: 1 МГц
• Тип корпуса: DIP
• RoHS: да