Datasheet PMN55LN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 В, 4.1 А, SOT457 — Даташит
Наименование модели: PMN55LN
![]() 14 предложений от 13 поставщиков Труба MOS, PMN55LN - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET | |||
PMN55LN,135 NXP | 9.78 ₽ | ||
PMN55LN135 NXP | 15 ₽ | ||
PMN55LN NXP | по запросу | ||
PMN55LN,115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 4.1 А, SOT457
Краткое содержание документа:
PMN55LN
µTrenchMOSTM logic level FET
M3D302
Rev.
01 -- 24 March 2003
Product data
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 4.1 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 0.055 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Рассеиваемая мощность: 1.75 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-457
- Количество выводов: 6
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
- International Rectifier - AUIRS2112S