Datasheet PMN27UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 В, 5.7 А, SOT457 — Даташит
Наименование модели: PMN27UN
![]() 16 предложений от 16 поставщиков Труба MOS, N-channel TrenchMOS ultra low level FET | |||
PMN27UN /T3 | по запросу | ||
PMN27UN NXP | по запросу | ||
PMN27UN,135 Nexperia | по запросу | ||
PMN27UN,115 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 5.7 А, SOT457
Краткое содержание документа:
PMN27UN
TrenchMOSTM ultra low level FET
M3D302
Rev.
01 -- 27 September 2002
Product data
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 5.7 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 0.027 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
- Рассеиваемая мощность: 1.75 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-457
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
- Electrolube - SMA10SL