Datasheet BUK9Y19-55B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH 55 В 46 А SOT669 — Даташит

Купить BUK9Y19-55B на РадиоЛоцман.Цены — от 22 до 158 ₽ 58 предложений от 27 поставщиков MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK. N-Channel 55V 46A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8. Transistors - FETs, MOSFETs - Single...
727GS Весь мир	BUK9Y19-55B Nexperia	от 31 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	BUK9Y19-55B/C6,115 Rochester Electronics	47 ₽	Купить
Maybo Весь мир	BUK9Y19-55B,115 Nexperia	78 ₽	Купить
Эиком Россия	BUK9Y19-55B,115 Nexperia	от 84 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH 55 В 46 А SOT669

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK9Y19-55B
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev.

03 -- 29 February 2008 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 46 А
• Drain Source Voltage Vds: 55 В
• On Resistance Rds(on): 17.3 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
• Рассеиваемая мощность: 85 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Корпус транзистора: SOT-669
• Количество выводов: 4
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 46 А
• Тип корпуса: SOT-669
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Enhancement
• Voltage Vds Typ: 55 В
• Voltage Vgs Max: 15 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

BUK9Y1955B, BUK9Y19 55B