Datasheet Microchip MCP87018 — Даташит

Производитель	Microchip
Серия	MCP87018

Семейство высокоскоростных МОП-транзисторов MCP87000 было разработано для оптимизации компромисса между сверхнизким сопротивлением в открытом состоянии (Rds-on) и зарядом затвора (Qg) для максимизации эффективности преобразования энергии в импульсных источниках питания.

Datasheets

Скачать

PDF, 720 Кб, Версия: 07-23-2013

Выписка из документа

MCP87018
High-Speed N-Channel Power MOSFET
Features: Description: Low Drain-to-Source On Resistance (RDS(ON) Low Total Gate Charge (QG) and Gate-to-Drain
Charge (QGD) Low Series Gate Resistance (RG) Fast Switching Capable of Short Dead-Time Operation RoHS Compliant The MCP87018 is an N-Channel power MOSFET in a
popular PDFN 5 mm x 6 mm package. Advanced
packaging and silicon processing technologies allow
the MCP87018 to achieve a low QG for a given RDS(on)
value, resulting in a low Figure of Merit (FOM).
Combined with low RG, the low FOM of the MCP87018
allows high-efficiency power conversion with reduced
switching and conduction losses. Applications: Point-of-Load DC-DC Converters High-Efficiency Power Management in Servers,
Networking and Automotive Applications Package Type
PDFN 5 x 6
S 1 8 D S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D Product Summary Table: Unless otherwise indicated, TA = +25В°C.
Parameters Sym. Min. Typ. Max. Units Conditions Drain-to-Source Breakdown Voltage BVDSS 25 вЂ” вЂ” V VGS = 0V, ID = 250 ВµA Gate-to-Source Threshold Voltage VGS(TH) 1 1.3 1.6 V VDS = VGS, ID = 250 ВµA Drain-to-Source On Resistance RDS(ON) Operating Characteristics вЂ” 1.8 2.2 mв„¦ VGS = 4.5V, ID = 25A вЂ” 1.5 1.9 mв„¦ VGS = 10V, ID = 25A Total Gate Charge QG вЂ” 32.5 37 nC VDS = 12.5V, ID = 25A, VGS = 4.5V Gate-to-Drain Charge QGD вЂ” 13 вЂ” nC VDS = 12.5V, ID = 25A RG вЂ” 1.5 вЂ” в„¦ вЂ” Thermal Resistance Junction-to-X RОёJX вЂ” вЂ” 55 В°C/W Note 1 Thermal Resistance Junction-to-Case RОёJC вЂ” вЂ” 1.0 В°C/W Note 2 Series Gate Resistance
Thermal Characteristics Note 1:
2: RОёJX is determined with the device surface mounted on a 4-Layer FR4 PCB, with a 1" x 1" mounting pad of 2 oz.
copper. This characteristic is dependent on userвЂ™s board design.
RОёJC is determined using JEDEC 51-14 Method. This characteristic is determined by design. пѓЈ 2013 Microchip Technology Inc. DS20002329B-page 1 MCP87018
1.0 вЂ Notice:
Stresses above those listed under
вЂњMaximum RatingsвЂќ may cause permanent damage to
the device. This is a stress rating only and functional …

Цены

Купить MCP87018 на РадиоЛоцман.Цены — от 10 до 2 191 ₽ 15 предложений от 15 поставщиков Microchip MCP87018T-U/MF N-channel MOSFET Transistor, 100 A, 25 V, 8-Pin DFN
T-electron Россия и страны СНГ	MCP87018T-U/MF Microchip	109 ₽
Стандарт СИЗ Россия	MCP87018T-U/MF Altera	по запросу
727GS Весь мир	MCP87018T-U/MF Microchip	по запросу
IC Home Весь мир	MCP87018T-U/MF Microchip	по запросу

Статус

	MCP87018T-U/MF
Статус продукта	В производстве (Подходит для новых разработок, но могут существовать и более новые альтернативы)

Корпус / Упаковка / Маркировка

	MCP87018T-U/MF
N	1
Корпус	PDFN
Количество выводов	8

Параметры

Parameters / Models	MCP87018T-U/MF
Configuration	Single
Id, A, Max @ 25C,Tcase	100.0
Рабочий диапазон температур, °C	от <-40 до >+125
Polarity	N
Qg @ 4.5V, nC, Max	37.0
Qgd, nC, Typ	13.0
Rds(on) @ 10V, mв„¦, Max	1.9
Rds(on) @ 4.5V, mв„¦, Max	2.2
Rg, в„¦, Typ	1.5
Vds, В	25
Vgs(th), V, Min	1.0

Экологический статус

	MCP87018T-U/MF
RoHS	Совместим

Модельный ряд

Серия: MCP87018 (1)

MCP87018T-U/MF

Классификация производителя

Power Management > Power MOSFETs