Datasheet Microchip MCP87050T-U/MF — Даташит

Производитель	Microchip
Серия	MCP87050
Модель	MCP87050T-U/MF

Семейство высокоскоростных МОП-транзисторов MCP87000 было разработано для оптимизации компромисса между сверхнизким сопротивлением в открытом состоянии (Rds-on) и зарядом затвора (Qg) для максимизации эффективности преобразования энергии в импульсных источниках питания.

Datasheets

Скачать

PDF, 760 Кб, Версия: 11-08-2012

Выписка из документа

MCP87050
High-Speed N-Channel Power MOSFET
Features: Description Low Drain-to-Source On Resistance (RDS(ON) Low Total Gate Charge (QG) and Gate-to-Drain
Charge (QGD) Low Series Gate Resistance (RG) Fast Switching Capable of Short Dead-Time Operation RoHS Compliant The MCP87050 is an N-Channel power MOSFET in a
popular PDFN 5 mm x 6 mm package. Advanced
packaging and silicon processing technologies allow
the MCP87050 to achieve a low QG for a given RDS(ON)
value, resulting in a low Figure of Merit (FOM).
Combined with low RG, the low Figure of Merit of the
MCP87050 allows high efficiency power conversion
with reduced switching and conduction losses. Applications Point-of-Load DC-DC Converters High Efficiency Power Management in Servers,
Networking, and Automotive Applications Package Type
PDFN 5 x 6 S 1 8 D S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D Product Summary Table: Unless otherwise indicated, TA = +25ЛљC
Parameters Sym Min Typ Max Units Conditions Drain-to-Source Breakdown Voltage BVDSS 25 вЂ” вЂ” V VGS = 0V, ID = 250 ВµA Gate-to-Source Threshold Voltage VGS(TH) 1 1.3 1.6 V VDS = VGS, ID = 250 ВµA Drain-to-Source On Resistance RDS(ON) вЂ” 5.0 6.0 mв„¦ VGS = 4.5V, ID = 20A вЂ” 4.2 5.0 mв„¦ VGS = 10V, ID = 20A Operating Characteristics Total Gate Charge QG вЂ” 12.5 15 nC VDS = 12.5V, ID = 20A, VGS = 4.5V Gate-to-Drain Charge QGD вЂ” 4.7 вЂ” nC VDS = 12.5V, ID = 20A RG вЂ” 1.1 вЂ” в„¦ Thermal Resistance Junction-to-X RОёJX вЂ” вЂ” 56 ЛљC/W Note 1 Thermal Resistance Junction-to-Case RОёJC вЂ” вЂ” 1.9 ЛљC/W Note 2 Series Gate Resistance
Thermal Characteristics Note 1:
2: RОёJX is determined with the device surface mounted on a 4-Layer FR4 PCB, with a 1вЂќ x 1вЂќ mounting pad of
2 oz. copper. This characteristic is dependent on userвЂ™s board design.
RОёJC is determined using JEDEC 51-14 Method. This characteristic is determined by design. пѓЈ 2012 Microchip Technology Inc. DS22308B-page 1 MCP87050
1.0 вЂ Notice:
Stresses above those listed under
вЂњMaximum RatingsвЂќ may cause permanent damage to
the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at those or any other conditions …

Цены

Купить MCP87050T-U/MF на РадиоЛоцман.Цены — от 37 до 341 ₽ 14 предложений от 13 поставщиков Microchip MCP87050T-U/MF N-channel MOSFET Transistor, 100 A, 25 V, 8-Pin DFN
AiPCBA Весь мир	MCP87050T-U/MF Supertex	62 ₽
Lixinc Electronics Весь мир	MCP87050T-U/MF Microchip	по запросу
Augswan Весь мир	MCP87050T-U/MF LAPIS Semiconductor	по запросу
AllElco Electronics Весь мир	MCP87050T-U/MF Microchip	по запросу

Статус

Статус продукта

В производстве (Подходит для новых разработок, но могут существовать и более новые альтернативы)

Корпус / Упаковка / Маркировка

Корпус	PDFN
Количество выводов	8

Параметры

Configuration	Single
Id	100.0 A, Max @ 25C,Tcase
Рабочий диапазон температур	от <-40 до >+125 °C
Package Size	5x6mm
Polarity	N
Qg @ 4.5V	15.0 nC, Max
Qgd	4.7 nC, Typ
Rds(on) @ 10V	5.0 mв„¦, Max
Rds(on) @ 4.5V	6.0 mв„¦, Max
Rg	1.1 в„¦, Typ
Vds	25 В
Vgs(th)	1.0 V, Min

Экологический статус

RoHS

Совместим

Модельный ряд

Серия: MCP87050 (1)

MCP87050T-U/MF

Классификация производителя

Power Management > Power MOSFETs

Варианты написания:

MCP87050TU/MF, MCP87050T U/MF