Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet Toshiba TC35679IFTG-002 — Даташит

ПроизводительToshiba
СерияTC35679IFTG-002
МодельTC35679IFTG-002

ARM Cortex-M0 / 50ohm impedance for RF IO / DC-DC converter / low power mode(4 level). Bluetooth IC

Datasheets

TC35679IFTG-002 Data sheet/English
PDF, 590 Кб
Выписка из документа

Цены

Acme Chip
Весь мир
TC35679IFTG-002
Toshiba
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Статус

Статус продуктаВ производстве (Рекомендуется для новых разработок)

Корпус / Упаковка / Маркировка

Код корпуса производителяP-VQFN40-0606-0.50-002

Параметры

Assembly basesTaiwan
Automotive Supportда
Bluetooth CategoryBluetooth low energy
Bluetooth Core spec.4.2
Current Consumption in Deep Sleep mode0.05 мкА
Current Consumption in RX Active mode (peak) [(3.0V)]3.3 мА
Current Consumption in Sleep mode1.8 мкА
Current Consumption in TX Active mode (peak) [(3.0V, TX -0dBm)]3.3 мА
Embedded ProfilesGATT / SMP
FeatureAutomotive / Ultra-low power / LE single / Scatternet support / Standalone mode support / LE Data Length Extension support / LE Secure Connection supoort
FunctionARM Cortex-M0 / 50ohm impedance for RF IO / DC-DC converter / low power mode(4 level)
InterfacingI2C / SPI / UART / PWM / ADC / SWD
Operating Temperature (Max)105 (*4) °C
Operating Temperature (Min)-40 (*4) °C
Power supply voltage (Max)3.6 (*5) В
Power supply voltage (Min)1.8 (*5) В
Receiver Sensitivity-93.5 dBm
User Flash Size (KB)N/A
User RAM Size (KB)83

Экологический статус

RoHSСовместим

Классификация производителя

  • Wireless Communications Equipment ICs > Bluetooth wireless communication IC

Варианты написания:

TC35679IFTG002, TC35679IFTG 002

На английском языке: Datasheet Toshiba TC35679IFTG-002

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России