Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

Datasheet Everlight EL817S(B)(TA)-V

ПроизводительEverlight
СерияEL817
МодельEL817S(B)(TA)-V

4 Pin DIP Phototransistor Photocoupler

Datasheets

  • Скачать » Datasheet, PDF, 846 Кб, 29-12-2017
    Выписка из документа ↓
    4 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER
    EL817 Series Schematic Features: Current transfer ratio
    (CTR: 50~600% at IF = 5mA, VCE = 5V) High isolation voltage between input
    and output (Viso = 5000Vrms) Creepage distance > 7.62mm Operating temperature up to +110В°C Compact small outline package
    The product itself will remain within RoHS compliant version Compliance with EU REACH UL and cUL approved(No.E214129) VDE approved (No. 132249) SEMKO approved NEMKO approved DEMKO approved FIMKO approved CQC approved Pin Configuration
    1. Anode
    2. Cathode
    3. Emitter
    4. Collector Description
    The EL817 series of devices each consist of an infrared emitting diodes,
    optically coupled to a phototransistor detector.
    They are packaged in a 4-pin DIP package and available in wide-lead spacing and SMD option. Applications Programmable controllers System appliances, measuring instruments Telecommunication equipments Home appliances, such as fan heaters, etc. Signal transmission between circuits of different potentials and impedances 1 Copyright В© 2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date :Nov 1, 2016. Issue No: DPC-0000046 Rev.16 www.everlight.com DATASHEET
    4PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER
    EL817 Series Absolute Maximum Ratings (Ta=25в„ѓ) Parameter Symbol Rating Unit Forward current IF 60 mA Peak forward current (1us, pulse) IFP 1 A Reverse voltage VR 6 V 100 mW 2.9 mW/В°C 150 mW 5.8 mW/В°C IC 50 mA Collector-Emitter voltage VCEO 35 V Emitter-Collector voltage VECO 6 V PTOT 200 mW Isolation Voltage* VISO 5000 V rms Operating Temperature TOPR -55 to 110 В°C Storage Temperature TSTG -55 to 125 В°C TSOL 260 В°C Input Power dissipation
    Derating factor (above Ta = 100В°C)
    Power dissipation
    Derating factor (above Ta = 100В°C)
    Output Collector current Total Power Dissipation
    1 2 Soldering Temperature* PD PC Notes:
    *1 AC for 1 minute, R.H.= 40 ~ 60% R.H. In this test, pins 1, 2 are shorted together, and pins 3, 4 are shorted together.
    *2 For 10 seconds 2 Copyright В© 2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date : Nov 1, 2016. Issue No: DPC-0000046 Rev.16 www.everlight.com DATASHEET
    4PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER
    EL817 Series Electro-Optical Characteristics (Ta=25в„ѓ unless specified otherwise) Input ...

Цены

    Тип корпуса: SO4-170-2.54 Производитель: Everlight Electronics Co. Оптопара;.
    Цена EL817S(B)(TA)-V
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    AliExpress10 ШТ./ЛОТ Оригинальный EL817C Everlight Оптрон (PC817) EL817S-C DIP-40,75 руб.
    ЗУМ-ЭКEverlightEL817S (B)(TA)-F SOP-4 , оптрон3,28 руб.
    ЭлитанEverlightEL817S3,97 руб.
    КремнийEL817(S1)(C)(TU)-VGпо запросу
    ЭлектроПластEverlightEL817(S1)(B)(TU)-Vпо запросу
    Все 28 предложений от 17 поставщиков »

Модельный ряд

Серия: EL817 (99)

Варианты написания:

EL817S(B)(TA)V, EL817S(B)(TA) V

На английском языке: Datasheet Everlight EL817S(B)(TA)-V

Рекомендуемые материалы по теме:

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Приглашаем авторов статей и переводов к публикации материалов на страницах сайта.

Срезы ↓
Ультразвуковой датчик расстояния HC-SR04
Ультразвуковой датчик расстояния HC-SR04
Для проектов на Arduino и др.
Не зависит от освещенности и цвета объекта.
Цена: от 40 руб.
Доставка: Весь мир / Россия
DC-DC повышающий регулируемый преобразователь питания на MT3608
DC-DC регулируемый преобразователь питания
на MT3608
Входное напряжение: 2В-24В
Выходное напряжение: 4В-28В
Входной ток: 2А
Цена: от 22 руб.
Доставка: Весь мир / Россия
Конференция Технологии разработки и отладки сложных технических систем
Конференция «Технологии разработки и отладки сложных технических систем»
Модельно-ориентированное проектирования в области САУ и ЦОС
Дата: 27 и 28 марта 2018 г.
Место: Москва, МГТУ им. Баумана
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс

Рейтинг@Mail.ru