Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

Datasheet ON Semiconductor FDN302P

ПроизводительON Semiconductor
СерияFDN302P
МодельFDN302P

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

Datasheets

  • Скачать » Datasheet, PDF, 226 Кб, Версия: 3
    P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
    Выписка из документа ↓
    FDN302P FDN302P
    P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchп›љ MOSFET
    General Description Features This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses a rugged
    gate version of ON’s advanced PowerTrench
    process. It has been optimized for power management
    applications with a wide range of gate drive voltage
    (2.5V – 12V). –20 V, –2.4 A. RDS(ON) = 0.055 Ω @ VGS = –4.5 V
    RDS(ON) = 0.080 Ω @ VGS = –2.5 V Fast switching speed High performance trench technology for extremely
    low RDS(ON) Applications Power management SuperSOTTM -3 provides low RDS(ON) and 30% higher
    power handling capability than SOT23 in the same
    footprint Load switch Battery protection D D S
    S G
    TM SuperSOT -3 G Absolute Maximum Ratings
    Symbol TA=25oC unless otherwise noted Drain-Source Voltage Ratings
    –20 Units VDSS Parameter VGSS Gate-Source Voltage ±12 V ID Drain Current (Note 1a) –2.4
    –10 A (Note 1a) 0.5 W – Continuous
    – Pulsed PD Maximum Power Dissipation (Note 1b) TJ, TSTG V 0.46 –55 to +150 °C (Note 1a) 250 °C/W (Note 1) 75 °C/W Operating and Storage Junction Temperature Range Thermal Characteristics
    RОёJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient RОёJC Thermal Resistance, Junction-to-Case Package Marking and Ordering Information
    Device Marking Device Reel Size Tape width Quantity 302 FDN302P 7’’ 8mm 3000 units 2000 Semiconductor Components Industries, LLC.
    October-2017, Rev. 3 Publication Order Number:
    FDN302P/D Symbol Parameter TA = 25°C unless otherwise noted Test Conditions Min Typ Max Units –12 mV/°C Off Characteristics
    BVDSS Drain–Source Breakdown Voltage VGS = 0 V, ID = –250 µA ∆BVDSS
    ===∆TJ ...

Цены

    FDN302P на РадиоЛоцман.Цены — от 0,12 до 27,75 руб.
    Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 500мВт; SuperSOT-3
    Цена FDN302P
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    5 элементFairchildFDN302Pот 0,12 руб.
    AliExpressR112-03 Бесплатная доставка 20 шт. SMD моп-транзистор FDN302P SOT-233,81 руб.
    КремнийFDN302Pпо запросу
    ЭФОFairchildFDN302Pпо запросу
    ТаймЧипсFairchildFDN302Pпо запросу
    Все 30 предложений от 20 поставщиков »

Статус

Статус продуктаВ производстве (Рекомендуется для новых разработок)

Корпус / Упаковка / Маркировка

КорпусSOT-23-3
Код корпуса527AG

Экологический статус

Стандарты и нормыPb-free | Halide free

Классификация производителя

  • Discrete > IGBTs & FETs > MOSFETs

На английском языке: Datasheet ON Semiconductor FDN302P

Срезы ↓
Осциллограф Rohde Schwarz RTB2002
Осциллограф Rohde&Schwarz RTB2002
Цена: от 128 тыс. руб.
Доставка: Россия
Тепловизор Testo 875-1i
Тепловизор Testo 875-1i
матрица 160x120 пкс, NETD < 50 мК
Цена: от 190 000 руб.
Доставка: Россия и страны СНГ
Тепловизор Fluke TiX580
Тепловизор Fluke TiX580
Диапазон измеряемых температур: от 20 до +800 °C
Цена: от 1 458 000 руб.
Доставка: Россия
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс

Рейтинг@Mail.ru