Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

ПроизводительON Semiconductor
СерияMMBF4393
МодельMMBF4393

N-Channel Switch

Datasheets

  • Скачать » Datasheet PDF, 289 Кб, Версия: A
    N-Channel Switch
    Выписка из документа ↓
    MMBF4391 / MMBF4392 / MMBF4393
    N-Channel Switch
    Description
    G This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabalized
    amplifiers. Sourced from process 51. See J111 for
    characteristics. S
    SOT-23 D Note: Source & Drain
    are interchangeable Ordering Information
    Part Number Top Mark Package Packing Method MMBF4391 6J SOT-23 3L Tape and Reel MMBF4392 6K SOT-23 3L Tape and Reel MMBF4393 6G SOT-23 3L Tape and Reel Absolute Maximum Ratings(1), (2)
    Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be operable above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addition, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability. The
    absolute maximum ratings are stress ratings only. Values are at TA = 25В°C unless otherwise noted. Symbol Parameter Value Unit VDG Drain-Gate Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage -30 V IGF Forward Gate Current 50 mA -55 to 150 В°C TJ, TSTG Operating and Storage Junction Temperature Range Notes:
    1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150В°C.
    2. These are steady-state limits. Fairchild Semiconductor should be consulted on applications involving pulsed or
    low-duty-cycle operations. В© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation
    MMBF4391 / MMBF4392 / MMBF4393 Rev. 1.3 www.fairchildsemi.com MMBF4391 / MMBF4392 / MMBF4393 — N-Channel Switch January 2015 Values are at TA = 25°C unless otherwise noted. Symbol
    PD
    RОёJA Parameter Max. Unit Total Device Dissipation 350 mW Derate Above 25В°C 2.8 mW/В°C Thermal Resistance, Junction-to-Ambient 357 В°C/W Note:
    3. Device mounted on FR-4 PCB 36mm Г— 18mm Г— 1.5mm; mounting pad for the collector lead minimum 6cm2. Electrical Characteristics
    Values are at TA = 25В°C unless otherwise noted. Symbol Parameter Conditions Min. Max. Unit Off Characteristics
    V(BR)GSS
    IGSS VGS(off)
    VGS(f) ID(off) Gate-Source Breakdown Voltage IG = 1.0 ОјA, VDS = 0
    Gate Reverse Current Gate-Source Cut-Off Voltage ...

Цены

Цена MMBF4393MMBF4393 на РадиоЛоцман.Цены — от 3,87 до 13,00 руб.
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт
ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
ЗУМ-ЭКON SemiconductorMMBF4393LT1G3,87 руб.
Электродеталь-ПоставкаON SemiconductorMMBF4393LT1G SOT-23 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт4,60 руб.
ЭлитанON SemiconductorMMBF4393LT1G5,17 руб.
ЭлрусON SemiconductorMMBF4393LT1Gот 5,43 руб.
ЭлектроПласт - ЕкатеринбургFairchildMMBF4393Lпо запросу
Все 27 предложений от 20 поставщиков »

Статус

Статус продуктаВ производстве (Рекомендуется для новых разработок)

Корпус / Упаковка / Маркировка

КорпусSOT-23-3
Код корпуса318-08

Экологический статус

Стандарты и нормыPb-free | Halide free

Классификация производителя

  • Discrete > IGBTs & FETs > JFETs

На английском языке: Datasheet ON Semiconductor MMBF4393

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Приглашаем авторов статей и переводов к публикации материалов на страницах сайта.

Срезы ↓
Тепловизор Fluke TiX580
Тепловизор Fluke TiX580
Диапазон измеряемых температур: от 20 до +800 °C
Цена: от 1 458 000 руб.
Доставка: Россия
Тепловизор Testo 875-1i
Тепловизор Testo 875-1i
матрица 160x120 пкс, NETD < 50 мК
Цена: от 190 000 руб.
Доставка: Россия и страны СНГ
Источник питания Актаком APS-1303
Источник питания Актаком APS-1303
2 LED дисплея, 0…30 В, 0…3 А
Цена: от 9 700 руб.
Доставка: Россия и страны СНГ

Рейтинг@Mail.ru