Datasheet ON Semiconductor MMBF4393
| Производитель | ON Semiconductor |
| Серия | MMBF4393 |
| Модель | MMBF4393 |
N-Channel Switch
Datasheets
- Скачать » Datasheet PDF, 289 Кб, Версия: A
N-Channel Switch
Выписка из документа ↓MMBF4391 / MMBF4392 / MMBF4393
N-Channel Switch
Description
G This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabalized
amplifiers. Sourced from process 51. See J111 for
characteristics. S
SOT-23 D Note: Source & Drain
are interchangeable Ordering Information
Part Number Top Mark Package Packing Method MMBF4391 6J SOT-23 3L Tape and Reel MMBF4392 6K SOT-23 3L Tape and Reel MMBF4393 6G SOT-23 3L Tape and Reel Absolute Maximum Ratings(1), (2)
Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be operable above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addition, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability. The
absolute maximum ratings are stress ratings only. Values are at TA = 25В°C unless otherwise noted. Symbol Parameter Value Unit VDG Drain-Gate Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage -30 V IGF Forward Gate Current 50 mA -55 to 150 В°C TJ, TSTG Operating and Storage Junction Temperature Range Notes:
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150В°C.
2. These are steady-state limits. Fairchild Semiconductor should be consulted on applications involving pulsed or
low-duty-cycle operations. В© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation
MMBF4391 / MMBF4392 / MMBF4393 Rev. 1.3 www.fairchildsemi.com MMBF4391 / MMBF4392 / MMBF4393 — N-Channel Switch January 2015 Values are at TA = 25°C unless otherwise noted. Symbol
PD
RОёJA Parameter Max. Unit Total Device Dissipation 350 mW Derate Above 25В°C 2.8 mW/В°C Thermal Resistance, Junction-to-Ambient 357 В°C/W Note:
3. Device mounted on FR-4 PCB 36mm Г— 18mm Г— 1.5mm; mounting pad for the collector lead minimum 6cm2. Electrical Characteristics
Values are at TA = 25В°C unless otherwise noted. Symbol Parameter Conditions Min. Max. Unit Off Characteristics
V(BR)GSS
IGSS VGS(off)
VGS(f) ID(off) Gate-Source Breakdown Voltage IG = 1.0 ОјA, VDS = 0
Gate Reverse Current Gate-Source Cut-Off Voltage ...
Цены
MMBF4393 на РадиоЛоцман.Цены — от 3,28 до 18,00 руб.Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт
| Поставщик | Производитель | Наименование | Цена |
|---|---|---|---|
| Стандарт СИЗ | ON Semiconductor | MMBF4393LT1G | 3,28 руб. |
| Электродеталь-Поставка | ON Semiconductor | MMBF4393LT1G SOT-23 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт | 4,60 руб. |
| ЗУМ-ЭК | ON Semiconductor | MMBF4393LT1G | 6,54 руб. |
| Терраэлектроника | ON Semiconductor | MMBF4393LT1G | 13,20 руб. |
| Кремний | MMBF4393_S00Z | по запросу | |
| Все 21 предложений от 21 поставщиков » | |||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
|---|
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Корпус | SOT-23-3 |
|---|---|
| Код корпуса | 318-08 |
Экологический статус
| Стандарты и нормы | Pb-free | Halide free |
|---|
Классификация производителя
- Discrete > IGBTs & FETs > JFETs
На английском языке: Datasheet ON Semiconductor MMBF4393
Экскурсия по огромной фабрике печатных плат: https://www.youtube.com/watch?v=_XCznQFV-Mw
При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.
Приглашаем авторов статей и переводов к публикации материалов на страницах сайта.
|
Срезы ↓
|
|