Datasheet SKM200GB123D - Semikron Даташит IGBT MODULE, HALF BRIDGE — Даташит

Купить SKM200GB123D на РадиоЛоцман.Цены — от 7 522 до 17 960 ₽ 13 предложений от 13 поставщиков AVX Advanced Ceramic Capacitors for Power Supply, High Voltage and Tip and Ring Applications
Кремний Россия и страны СНГ	SKM200GB123D	по запросу	Купить
МосЧип Россия	SKM200GB123D1 Semikron	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	SKM200GB123D Semikron	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	SKM200GB123D Semikron	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Semikron

Описание: IGBT MODULE, HALF BRIDGE

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 200 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 3 В
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Корпус транзистора: SEMITRANS 3
• Количество выводов: 7
• External Depth: 51.4 мм
• Внешняя длина / высота: 30.5 мм
• Внешняя ширина: 105.4 мм
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SEMITRANS 3
• Способ монтажа: Screw
• Тип транзистора:
• Av Current Ic: 200 А
• Current Ic Continuous a Max: 200 А
• Current Ic Continuous b Max: 180 А
• Current Temperature: 25°C
• Fixing Centres: 93 мм
• Fixing Hole Diameter: 6.4 мм
• Power Dissipation Pd: 1.38 кВт
• Power Dissipation Ptot Max: 1.38 кВт
• Pulsed Current Icm: 400 А
• Rise Time: 100 нс
• Voltage Vces: 1.2 кВ

RoHS: есть