Datasheet SKM200GB126D - Semikron Даташит IGBT MODULE, DUAL, 1200 В — Даташит
Наименование модели: SKM200GB126D
 Купить SKM200GB126D на РадиоЛоцман.Цены — от 7 172 до 17 259 ₽12 предложений от 12 поставщиков Insulated Gate Bipolar Transistor, 260A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | |||
| SKM200GB126D Semikron | 17 259 ₽ | ||
| SKM200GB126D_06 Semikron | по запросу | ||
| SKM200GB126D Semikron | по запросу | ||
| SKM200GB126D Semikron | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Semikron
Описание: IGBT MODULE, DUAL, 1200 В
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 260 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.15 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SEMITRANS 3
- Количество выводов: 7
- External Depth: 61.4 мм
- Внешняя ширина: 105 мм
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: SEMITRANS 3
- Способ монтажа: Screw
- Тип транзистора:
- Av Current Ic: 260 А
- Current Ic Continuous a Max: 260 А
- Current Ic Continuous b Max: 190 А
- Current Temperature: 25°C
- Fixing Centres: 93 мм
- Fixing Hole Diameter: 5.4 мм
- Power Dissipation Pd: 220 Вт
- Pulsed Current Icm: 200 А
- Rise Time: 40 нс
- SMD Marking: SEMITRANS 3
- Voltage: 1.2 кВ
- Voltage Vces: 1.2 кВ
RoHS: есть
