Datasheet SKM75GB123D - Semikron Даташит IGBT MODULE, DUAL — Даташит
Наименование модели: SKM75GB123D
Купить SKM75GB123D на РадиоЛоцман.Цены — от 4 625 до 16 478 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | |||
| SKM75GB123D Semikron | 4 625 ₽ | ||
| SKM75GB123D Semikron | по запросу | ||
| SKM75GB123D_09 Semikron | по запросу | ||
| SKM75GB123D Semikron | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Semikron
Описание: IGBT MODULE, DUAL
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 75 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 3.2 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Корпус транзистора: SEMITRANS 2
- Количество выводов: 7
- External Depth: 34 мм
- Внешняя длина / высота: 29.5 мм
- Внешняя ширина: 94 мм
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: SEMITRANS 2
- Способ монтажа: Screw
- Тип транзистора:
- Av Current Ic: 78 А
- Current Ic Continuous a Max: 75 А
- Current Ic Continuous b Max: 50 А
- Current Temperature: 25°C
- Fixing Centres: 80 мм
- Fixing Hole Diameter: 6.4 мм
- Power Dissipation Pd: 400 Вт
- Power Dissipation Ptot Max: 400 Вт
- Pulsed Current Icm: 150 А
- Rise Time: 56 нс
- Voltage Vces: 1.2 кВ
RoHS: есть
