Datasheet SK15GD126 - Semikron Даташит IGBT MODULE, 1200 В, 6 PACK — Даташит

Подробное описание

Производитель: Semikron

Описание: IGBT MODULE, 1200 В, 6 PACK

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.1 В
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Корпус транзистора: SEMITOP 2
• External Depth: 28 мм
• Внешняя ширина: 40.5 мм
• Количество транзисторов: 6
• Тип корпуса: SEMITOP 2
• Тип транзистора:
• Av Current Ic: 22 А
• Current Ic Continuous a Max: 22 А
• Current Ic Continuous b Max: 15 А
• Current Temperature: 25°C
• Fixing Centres: 38 мм
• Fixing Hole Diameter: 2 мм
• Power Dissipation Pd: 1.6 кВт
• Pulsed Current Icm: 44 А
• Rise Time: 20 нс
• SMD Marking: SEMITOP2
• Voltage: 1.2 кВ
• Voltage Vces: 1.2 кВ

RoHS: есть