Datasheet STMicroelectronics STP11NM60 — Даташит
| Производитель | STMicroelectronics |
| Серия | STP11NM60 |
| Модель | STP11NM60 |
N-канальный, 600 В, тип 0,4 Ом, MOSFET-транзистор мощностью 11 мА в корпусе TO-220
Datasheets
Datasheet STB11NM60T4, STP11NM60
PDF, 639 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 май 2020, Страниц: 21
N-channel 600 V, 0.4 Ω typ., 11 A, MDmesh II Power MOSFETs in D²PAK and TO-220
N-channel 600 V, 0.4 Ω typ., 11 A, MDmesh II Power MOSFETs in D²PAK and TO-220
Выписка из документа
 Купить STP11NM60 на РадиоЛоцман.Цены — от 34 до 526 ₽69 предложений от 32 поставщиков Труба MOS, N-channel 600V, 0.37Ω, 10A, FDmeshTM II Power MOSFET I2PAK, TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK | |||
| STP11NM60ND STMicroelectronics | 183 ₽ | ||
| STP11NM60FD STMicroelectronics | 300 ₽ | ||
| STP11NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600 В, 0.37 Ом, 10А [TO-220AB] | по запросу | ||
| STP11NM60FDFP STMicroelectronics | по запросу | ||
Подробное описание
Эти устройства являются N-канальными Power MOSFET, разработанными с использованием технологии MDmesh второго поколения.
Эти революционные силовые полевые МОП-транзисторы связывают вертикальную структуру с макетом полосы компании, обеспечивая один из самых низких в мире сопротивлений и заряда затвора. Поэтому они подходят для самых требовательных высокопроизводительных преобразователей.
Особенности:
- 100% лавина проверена
- Низкое входное сопротивление затвора
- Низкая входная емкость и заряд затвора
Статус
| Статус продукта | NRND (Не рекомендуется для новых разработок) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Корпус | TO-220AB |
Другие варианты исполнения
Классификация производителя
- Power Transistors > Power MOSFETs > STPOWER N-channel MOSFETs > 350 V to 700 V
