Datasheet STP12NM50 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит

Купить STP12NM50 на РадиоЛоцман.Цены — от 41 до 540 ₽ 45 предложений от 25 поставщиков Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: NМаксимальное напряжение сток-исток, В: 500Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 12Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 350Емкость, пФ:...
Стандарт СИЗ Россия	STP12NM50FP STMicroelectronics	41 ₽	Купить
Akcel Весь мир	STP12NM50FD STMicroelectronics	от 43 ₽	Купить
Берёзка Электронные Компоненты Россия	STP12NM50FP STMicroelectronics	от 313 ₽	Купить
LifeElectronics Россия	STP12NM50_06 STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STP12NM50 - STP12NM50FP STB12NM50 - STB12NM50-1
N-channel 550V @ tjmax - 0.30 - 12A TO-220/FP/D2/I2PAK MDmeshTM Power MOSFET
General features
Type STB12NM50 STB12NM50-1 STP12NM50 STP12NM50FP
VDSS (@Tjmax) 550V 550V 550V 550V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 12 А
• Drain Source Voltage Vds: 550 В
• On State Resistance: 350 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Корпус транзистора: TO-220
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 400mJ
• Capacitance Ciss Typ: 1000 пФ
• Current Iar: 6 А
• Current Id Max: 12 А
• Тип корпуса: TO-220
• Power Dissipation Pd: 160 Вт
• Pulse Current Idm: 48 А
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Voltage Vds: 550 В
• Voltage Vds Typ: 500 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 5 В
• Voltage Vgs th Min: 3 В

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
• Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
• Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS