Datasheet BDX33C - STMicroelectronics Даташит Составной транзистор Дарлингтона, TO-220 — Даташит
Наименование модели: BDX33C
Купить BDX33C на РадиоЛоцман.Цены — от 3.01 до 140 ₽ 66 предложений от 31 поставщиков Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В, 10 А, 70 Вт, TO-220, Through Hole | |||
BDX33C STMicroelectronics | от 3.01 ₽ | ||
BDX33C STMicroelectronics | 8.16 ₽ | ||
BDX33C ON Semiconductor | 44 ₽ | ||
BDX33C/DSI Fairchild | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Составной транзистор Дарлингтона, TO-220
Краткое содержание документа:
®
BDX33B BDX33C BDX34B BDX34C
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
DESCRIPTION The BDX33B and BDX33C are silicon Epitaxial-Base NPN power transistors in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec TO-220 plastic package.
They are intented for use in power linear and switching applications. The complementary PNP types are BDX34B and BDX34C respectively.
1 2
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
- Power Dissipation Pd: 70 Вт
- DC Collector Current: 10 А
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 2
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Av Current Ic: 10 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.5 В
- Ток коллектора постоянный максимальный: 10 А
- Current Ic Continuous a Max: 10 А
- DC Current Gain: 4 А
- Маркировка: BDX33C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- DC Current Gain Min: 750
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: TO-220
- Рассеиваемая мощность максимальная: 70 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Тип транзистора: Darlington
- Обратный ток перехода база-коллектор: 100 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
- Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
- ON Semiconductor - BDX33CG