Datasheet Texas Instruments CSD17318Q2T — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD17318Q2 |
| Модель | CSD17318Q2T |
30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 6-WSON -55 to 150
Datasheets
CSD17318Q2 30-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 941 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 18 июл 2017
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD17318Q2T на РадиоЛоцман.Цены — от 65 до 2 001 ₽19 предложений от 8 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 21,5А; Idm: 68А; 16Вт; WSON6 | |||
| CSD17318Q2T Texas Instruments | 65 ₽ | ||
| CSD17318Q2T Texas Instruments | 69 ₽ | ||
| CSD17318Q2T Texas Instruments | 70 ₽ | ||
| CSD17318Q2T Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 6 |
| Package Type | DQK |
| Package QTY | 250 |
| Carrier | SMALL T&R |
| Маркировка | 1718 |
| Width (мм) | 2 |
| Length (мм) | 2 |
| Thickness (мм) | .75 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 25 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 68 A |
| Корпус | SON2x2 мм |
| QG Typ | 6.0 nC |
| QGD Typ | 1.3 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 13.9 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 16.9 mOhms |
| VDS | 30 В |
| VGS | 10 В |
| VGSTH Typ | 0.9 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
Модельный ряд
Серия: CSD17318Q2 (2)
- CSD17318Q2 CSD17318Q2T
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
