Datasheet Texas Instruments CSD87503Q3ET — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD87503Q3E |
| Модель | CSD87503Q3ET |
30-В двойной N-канальный МОП-транзистор, общий исток 8-VSON -55 до 150
Datasheets
CSD87503Q3E 30-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFETs datasheet
PDF, 480 Кб, Файл опубликован: 13 сен 2017
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD87503Q3ET на РадиоЛоцман.Цены — от 31 до 5 152 ₽21 предложений от 10 поставщиков Двойной МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 10 А, 0.0135 Ом, VSON, Surface Mount | |||
| CSD87503Q3ET Texas Instruments | 147 ₽ | ||
| CSD87503Q3ET Texas Instruments | от 172 ₽ | ||
| CSD87503Q3ET Texas Instruments | от 210 ₽ | ||
| CSD87503Q3ET | 5 152 ₽ | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | DTD |
| Package QTY | 250 |
| Carrier | SMALL T&R |
| Маркировка | 87503E |
| Width (мм) | 3.3 |
| Length (мм) | 3.3 |
| Thickness (мм) | 1 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Dual Common Source |
| ID, package limited | 10 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 89 A |
| Корпус | SON3x3 мм |
| QG Typ | 13.4 nC |
| QGD Typ | 5.8 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 17.3 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 16.9 mOhms |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 21.9 mOhms |
| VDS | 30 В |
| VGS | 20 В |
| VGSTH Typ | 1.7 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
Модельный ряд
Серия: CSD87503Q3E (2)
- CSD87503Q3E CSD87503Q3ET
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
