Datasheet Texas Instruments LMG1210RVRT — Даташит

200V, 1.5A/3A Half Bridge GaN Driver With Adjustable Dead-time 19-WQFN -40 to 125

Datasheets

PDF, 596 Кб, Файл опубликован: 14 фев 2018

Выписка из документа

Купить LMG1210RVRT на РадиоЛоцман.Цены — от 342 до 984 ₽ 9 предложений от 5 поставщиков 200-V, 1.5-A, 3-A Half-Bridge GaN Driver With Adjustable Dead Time
ЧипСити Россия	LMG1210RVRT Texas Instruments	342 ₽
AiPCBA Весь мир	LMG1210RVRT Texas Instruments	359 ₽
ChipWorker Весь мир	LMG1210RVRT Texas Instruments	367 ₽
ЭИК Россия	LMG1210RVRT Texas Instruments	от 984 ₽

Статус продукта	Анонсирован (Компонент анонсирован, но еще не запущен в серийное производство. Образцы могут быть как доступны, так и нет)
Доступность образцов у производителя	Нет

Bus Voltage	200 В
Driver Configuration	Half Bridge
Fall Time	0.5 нс
Input Threshold	TTL
Input VCC(Max)	18 В
Input VCC(Min)	6 В
Количество каналов	2
Рабочий диапазон температур	от -40 до 125 C
Package Group	WQFN
Package Size: mm2:W x L	19WQFN: 12 mm2: 4 x 3(WQFN) PKG
Peak Output Current	3 A
Power Switch	MOSFET,GaNFET
Prop Delay	10 нс
Rating	Catalog
Rise Time	0.5 нс

RoHS	See ti.com

Evaluation Modules & Boards: LMG1210EVM-012
LMG1210 Half-bridge Open Loop Evaluation Module
Статус продукта: В производстве (Рекомендуется для новых разработок)
- Скачать

Скачать
Optimizing Efficiency Through Dead Time Control With the LMG1210 GaN Driver
PDF, 139 Кб, Файл опубликован: 14 фев 2018
Dead time is an extremely important design parameter in some high-frequency converters using GaN.Dead time becomes ever more important as the frequency of operation increases. This reportdemonstrates the need for dead time optimization by measuring efficiency of a converter with varyingdead times. This report also discusses the various sources of propagation delay mismatch which causedead

Серия: LMG1210 (3)

Semiconductors > Power Management > Gallium Nitride (GaN) Solutions > GaN FET Drivers