Datasheet Texas Instruments XLMG1210RVRT — Даташит

Полумостовой GaN-драйвер 200 В, 1,5 А/3 А с регулируемым мертвым временем 19-WQFN от -40 до 125

Datasheets

PDF, 596 Кб, Файл опубликован: 14 фев 2018

Выписка из документа

Купить XLMG1210RVRT на РадиоЛоцман.Цены GaN Driver with Adjustable Dead Time Half-Bridge Dual-Channel 200V 1.5A 19-Pin WQFN T/R
Maybo Весь мир	XLMG1210RVRT Texas Instruments	по запросу

Статус продукта	В производстве (Рекомендуется для новых разработок)
Доступность образцов у производителя	Да

Bus Voltage	200 В
Driver Configuration	Half Bridge
Fall Time	0.5 нс
Input Threshold	TTL
Input VCC(Max)	18 В
Input VCC(Min)	6 В
Количество каналов	2
Рабочий диапазон температур	от -40 до 125 C
Package Group	WQFN
Package Size: mm2:W x L	19WQFN: 12 mm2: 4 x 3(WQFN) PKG
Peak Output Current	3 A
Power Switch	MOSFET,GaNFET
Prop Delay	10 нс
Rating	Catalog
Rise Time	0.5 нс

RoHS	See ti.com

Evaluation Modules & Boards: LMG1210EVM-012
LMG1210 Half-bridge Open Loop Evaluation Module
Статус продукта: В производстве (Рекомендуется для новых разработок)
- Скачать

Скачать
Optimizing Efficiency Through Dead Time Control With the LMG1210 GaN Driver
PDF, 139 Кб, Файл опубликован: 14 фев 2018
Dead time is an extremely important design parameter in some high-frequency converters using GaN.Dead time becomes ever more important as the frequency of operation increases. This reportdemonstrates the need for dead time optimization by measuring efficiency of a converter with varyingdead times. This report also discusses the various sources of propagation delay mismatch which causedead

Серия: LMG1210 (3)

Semiconductors > Power Management > Gallium Nitride (GaN) Solutions > GaN FET Drivers