ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet Toshiba SSM3K357R — Даташит

ПроизводительToshiba
СерияSSM3K357R
МодельSSM3K357R

Small Low ON resistance MOSFETs

Datasheets

SSM3K357R Data sheet/English
PDF, 461 Кб, Файл закачен: 18 июн 2018
Выписка из документа

Цены

10 предложений от 6 поставщиков
MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23F
ЭИК
Россия
SSM3K357R,LF
Toshiba
от 19 ₽
Элитан
Россия
SSM3K357R.LF(T
Toshiba
22 ₽
AiPCBA
Весь мир
SSM3K357R,LF
Toshiba
31 ₽
Acme Chip
Весь мир
SSM3K357R
Toshiba
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Статус

Статус продуктаВ производстве (Рекомендуется для новых разработок)

Корпус / Упаковка / Маркировка

Код корпуса производителяSOT-23F

Параметры

AEC-Q101Conform(*)
Application ScopeRelay Drivers
Assembly basesThailand
Drain-Source on-resistance (Max) [|VGS|=3V]2.4 Ω
Drain-Source on-resistance (Max) [|VGS|=5V]1.8 Ω
Drain-Source on-resistance (Typ.) [|VGS|=3V]1.2 Ω
Drain-Source on-resistance (Typ.) [|VGS|=5V]0.8 Ω
Основные особенностиRelay Drivers
Gate threshold voltage (Max)2.0 В
Gate threshold voltage (Min)1.3 В
Generationπ-MOSⅤ
Input capacitance (Typ.)43 пФ
Internal ConnectionSingle
PolarityN-ch + Active Clamp Zener
Total gate charge (Typ.)1.5 nC

Экологический статус

RoHSСовместим

Модельный ряд

Серия: SSM3K357R (3)

Классификация производителя

  • MOSFETs

На английском языке: Datasheet Toshiba SSM3K357R

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России