Datasheet Toshiba SSM3K357R — Даташит
| Производитель | Toshiba |
| Серия | SSM3K357R |
Малые полевые МОП-транзисторы с низким сопротивлением в открытом состоянии
Datasheets
 Купить SSM3K357R на РадиоЛоцман.Цены — от 6.60 до 33 ₽30 предложений от 12 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
| SSM3K357R.LXGF(T Toshiba | 21 ₽ | ||
| SSM3K357R Toshiba | по запросу | ||
| SSM3K357R,LF | по запросу | ||
| SSM3K357R,LF | по запросу | ||
Статус
| SSM3K357R | SSM3K357R,LF | SSM3K357R,LXGF | |
|---|---|---|---|
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) | ||
Корпус / Упаковка / Маркировка
| SSM3K357R | SSM3K357R,LF | SSM3K357R,LXGF | |
|---|---|---|---|
| N | 1 | 2 | 3 |
| Код корпуса производителя | SOT-23F |
Параметры
| Parameters / Models | SSM3K357R | SSM3K357R,LF | SSM3K357R,LXGF |
|---|---|---|---|
| AEC-Q101 | Conform(*) | ||
| Application Scope | Relay Drivers | ||
| Assembly bases | Thailand | ||
| Drain-Source on-resistance (Max) [|VGS|=3V], Ω | 2.4 | ||
| Drain-Source on-resistance (Max) [|VGS|=5V], Ω | 1.8 | ||
| Drain-Source on-resistance (Typ.) [|VGS|=3V], Ω | 1.2 | ||
| Drain-Source on-resistance (Typ.) [|VGS|=5V], Ω | 0.8 | ||
| Основные особенности | Relay Drivers | ||
| Gate threshold voltage (Max), В | 2.0 | ||
| Gate threshold voltage (Min), В | 1.3 | ||
| Generation | π-MOSⅤ | ||
| Input capacitance (Typ.), пФ | 43 | ||
| Internal Connection | Single | ||
| Polarity | N-ch + Active Clamp Zener | ||
| Total gate charge (Typ.), nC | 1.5 |
Экологический статус
| SSM3K357R | SSM3K357R,LF | SSM3K357R,LXGF | |
|---|---|---|---|
| RoHS | Совместим |
Модельный ряд
Серия: SSM3K357R (3)
Классификация производителя
- MOSFETs
